本文源自:金融界
金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构”的专利，公开号 CN 119774559 A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种氮化钛薄膜的制备方法、氮化钛薄膜及半导体结构，向反应腔室通入四二甲基胺钛，四二甲基胺钛吸附在衬底表面，衬底位于反应腔室内；对四二甲基胺钛进行加热，分解得到二甲胺气体和位于衬底表面的第一氮化钛薄膜；向反应腔室通入金属盐，金属盐与二甲胺反应，得到位于衬底表面的第二氮化钛薄膜；第二氮化钛薄膜为具有金属掺杂的第一氮化钛薄膜。利用四二甲基胺钛和金属盐制备得到具有金属掺杂的氮化钛薄膜，操作步骤简单，成本较低，而且通过掺杂金属能够降低氮化钛薄膜的本征电阻率，提高氮化钛薄膜的导电性，进而提高钨栓的整体导电性。
天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1666700万人民币，实缴资本1000000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可275个。
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