芯盛智能携手中国移动研究院推动RISC-V在数据中心中的应用

近日，第二届RISC-V中国峰会成功举办，数十家企业在峰会上展示包括芯片、操作系统、工具链、开发语言等多个领域成果。RISC-V作为继x86和Arm之外的第三个指令集，其开源开放的属性一方面带动了芯片行业的创新，另一方面也为国内实现芯片自主可控提供了重要选项。

为推动多样性算力技术和生态成熟，中国移动研究院联合芯盛智能开展技术攻关，推动基于RISC-V的企业级固态硬盘（SSD）产品成熟。芯盛智能是国内领先的固态存储主控及解决方案设计企业，于2019年启动第一代基于RISC-V的SATA SSD开发。

SSD性能依赖于主控、固件和NAND颗粒三者的通力配合。其中主控业内一般采用Arm架构，随着32位RISC-V处理器在嵌入式领域规模商用，在相同性能下，主控采用RISC-V架构将有利于提高企业的自主可控度。前期中国移动研究院与芯盛智能重点在主控芯片和固件方面进行技术合作，共同推动产品在多级缓存架构、时钟时序等方面的优化。基于同一套整机测试环境（CPU、内存、网卡等同等配置）对芯盛智能480G容量的XITC SS3000硬盘与某国外同类产品进行对比测试，结果表明两者性能相当，芯盛智能XITC SS3000具备更高的稳态写IOPS、更低的稳态写时延以及更低的功耗等优势。

对比项 对标产品 XITC SS3000 CPU IP核 ARM RISC-V 容量 480G 480G 稳态写带宽测试（128K SEQ QD=32） 491MB/s 481MB/s 稳态读带宽测试（4KRND QD=32） 553MB/s 538MB/s 稳态写IOPS测试（4KRND QD=32） 35K 40.2K 稳态读IOPS测试（4K RND QD=32） 95.7K 78.3K 稳态写时延测试（4KRND QD=1） 55.73µs 41.8µs 稳态读时延测试（4K RND QD=1） 107.33µs 136.5µs Active Power（MAX） 3.6w 3.1w 一致性随机读/随机写 99%/95% 99%/87% 是否支持断电保护 是 是 是否支持热插拔 是 是 是否为企业级及以上 是 是

XITC SS3000和某国外同类产品实验室测试数据对比

后续中国移动研究院将与芯盛智能持续进行联合技术攻关，进一步提升产品能力。一是将进一步提升数据传输速率，联合攻关基于PCIe5.0的 RISC-V主控芯片及NVMe SSD产品；二是将联合攻关推动下一代产品支持NVMe-oF协议，支持与AI服务器整机兼容。

面向未来，中国移动将以链长职责为己任，依托芯巢孵化平台，对标评测基于RISC-V主控的SSD在各类业务场景下的性能表现，提供针对性的优化建议；此外，面向CPU、DPU等场景，持续与业界合作伙伴共同攻关，牵引产业研发更高性能的企业级数据中心产品，繁荣国内计算生态。