本文源自:金融界
金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，江苏新顺微电子股份有限公司申请一项名为“一种多通道达林顿阵列电路的制造方法”的专利，公开号CN 118748171 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种多通道达林顿阵列电路的制造方法，其包括如下步骤：通过光刻开出埋层窗口，进行锑的注入与氧化扩散，接着继续光刻开出下隔离窗口，进行硼注入与退火；掺杂过的表面一侧生长一层N型外延层。通过光刻开出窗口，并掺杂高浓度的三氯氧磷，再生长一层氧化层；继续光刻开出与下个隔离位置对应的上隔离窗口，注入硼元素，同时掺杂高浓度的三氯氧磷。制造达林顿、电阻、二极管工序以及隔离区加浓，继续光刻，开出窗口，进行硼注入与扩散氧化；后续继续光刻开出发射区窗口，进行磷注入与氧化扩散，形成达林顿的N型发射区并加浓COM口的二极管的N型区。后续通过光刻开出引线孔。本发明可以阻止相同衬底上器件之间不希望出现的电流流动。
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